真空濺射膜層 的厚度控制在預(yù)定的數(shù)值上，稱為膜厚的可控性。所需要的膜層厚度可以多次重復(fù)性出現(xiàn)，稱為膜厚重復(fù)性。在真空濺射鍍膜中，可以通過控制靶材電流來控制膜厚。

濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高 1-2個數(shù)量級，高能量的濺射原子沉積在基片上進(jìn)行的能量轉(zhuǎn)換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的能量，增強(qiáng)了濺射原子與基片的附著力。

制備合金膜和化合物膜時靶材組分與沉積到基體上的膜材組分極為接近如果濺射時通入反應(yīng)性氣體，使其與靶材發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這樣就可以得到與靶材完全不同的新物質(zhì)膜。

濺射法制膜裝置中沒有蒸發(fā)法制膜裝置中的坩堝構(gòu)件，所以濺射鍍膜中不會混入坩堝加熱器材料的成分，純度更高。

真空濺射膜層 法缺點(diǎn)是成膜速度比蒸發(fā)鍍膜低 、基片溫度高 、易受雜質(zhì)氣體影響 、裝置結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。