PVD真空鍍膜 在真空狀態(tài)下，膜料的熔點(diǎn)溫度和蒸發(fā)溫度要比在大氣狀態(tài)下低得多。對(duì)高熔點(diǎn)的氧化物膜料，在真空狀態(tài)下其熔點(diǎn)要低得多。也就容易到蒸發(fā)溫度而不需太高的能量。

真空狀態(tài)下，真空室中空氣極少，膜料分子從蒸發(fā)源到達(dá)基片表面的路程中幾乎不與殘留在真空室中的氣體分子碰撞，即分子自由程長(zhǎng)，膜料容易沉積在基片上。

由于真空室中氣體分子少，因而氧分子、硫分子等化學(xué)活潑分子也少，高溫狀態(tài)的膜料分子就不會(huì)與之發(fā)生化學(xué)變化，從而保證膜層的膜料純度。

而且，由于PVD真空鍍膜 是在真空環(huán)境下進(jìn)行，而真空中的大部分物質(zhì)已被排出，所以鍍膜的過程受到外界干擾的影響就很小，顏色就不會(huì)雜亂，也沒有膜層脫落的后顧之憂。