真空鍍膜技術過程分三個步驟：一是膜材的氣化;二是真空的運輸：三是薄膜的生長。 真空鍍膜技術的三個基本要素為；真空室、膜材料、基體。

          真空鍍膜的特點主要有：能在固態(tài)的基體上鍍制包括金屬、合金、半導體薄膜,而且薄膜的成分可以任意調控,能鍍制高純度、高密度、附著力強的各種功能薄膜、光學薄膜,電子薄膜等等。

          真空鍍膜技術的環(huán)保優(yōu)點也不容忽視,比化學方法更易制成高純度的薄膜,但是設備較貴、成本較高。目前先端科研以及產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展越來越迅速,當今人類所面臨的幾大課題:環(huán)境、能源、生命和材料都與真空鍍膜技術的發(fā)展密切相關,這些產(chǎn)業(yè)對真空鍍膜技術所提出的要求也越來越高,這使得真空鍍膜技術得到廣泛的發(fā)展與應用,同時工業(yè)化對鍍膜的質量要求也不斷提高。例如納米微型電子器件在未來可能會朝著有機和無機復合的方向發(fā)展,這些器件可能需要有較高的純度和性能；這些高純度,高性能的器件對制備環(huán)境的清潔度也就要求更高。在真空環(huán)境中制備這些器件可以提高其純度,這將増大納米器件組裝成功的希望，納米電子器件的組裝需要很平整的基底 ，這些基底可以用真空鍍膜的方法制備出來。

          總之納米微型電子器件,微型集成電路的高速發(fā)展必將帶領真空鍍膜技術進入一個高科技時代。如有想了解真空鍍膜的，歡迎致電：18018743855  0755-27865425