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金屬PVD真空鍍膜中濺射有幾種方式?
來(lái)源: | 發(fā)布日期:2022-03-12

金屬PVD真空鍍膜中濺射鍍與真空蒸發(fā)鍍相比,具有以下優(yōu)點(diǎn):可大面積沉積、大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)、任何物質(zhì),特別是高熔點(diǎn)、低蒸汽壓力元素和化合物、濺射涂層組織致密,無(wú)孔,基底附著力好。但也存在濺射設(shè)備復(fù)雜、真空系統(tǒng)和高壓裝置、濺射沉積速度慢等缺點(diǎn)。

濺射鍍方法有以下幾種:

(1)二極濺射

二極濺射是最早使用的濺射方法。金屬基材作為陰極,鍍層材料為陽(yáng)極。陰極和陰極1-3KV直流負(fù)高壓連接,陽(yáng)極通常接地。工作時(shí),先抽真空,然后通過(guò)氬氣使真空室達(dá)到濺射壓力。通電時(shí),陰極靶上的負(fù)高壓在兩極之間產(chǎn)生光放電,產(chǎn)生等離子體區(qū)域,加速陰極目標(biāo)的轟擊,使基材表面得到濺鍍,沉積在基板表面,形成目標(biāo)材料膜。該裝置具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便等優(yōu)點(diǎn)。缺點(diǎn)是:由于工作壓力高,膜層被玷污;由于大量二次電子直接轟擊基片,基片溫度升高過(guò)高。

金屬PVD真空鍍膜

(2)三極濺射

三極濺射是將電極-熱陰極附著在二極濺射裝置上,發(fā)射熱電子。在電場(chǎng)的吸引下,熱電子通過(guò)靶與基極之間的等離子體區(qū)域加強(qiáng)放電。它不僅可以提高濺射率,而且更容易控制濺射條件。

(3)四極濺射

在三極濺射的基礎(chǔ)上,在涂層室外增加一個(gè)聚束線圈,也稱為輔助陽(yáng)極或穩(wěn)定電極。聚束線圈的作用是將電子聚集在靶陰極和基陽(yáng)極之間,形成低壓、大電流等離子體弧柱,大量電子碰撞氣體電離,產(chǎn)生大量離子。聚束線圈還能穩(wěn)定放電。這種濺射方法仍然無(wú)法抑制目標(biāo)產(chǎn)生的高速電子對(duì)基板的轟擊,膜層也會(huì)因燈絲不純而被玷污。

(4)射頻濺射

離子運(yùn)動(dòng)與氣體原子發(fā)生更多的碰撞。這樣,氣體就可以獲得更充分的電離,從而提高濺射效果。在射頻電源交變電場(chǎng)的作用下,氣體中的電子相應(yīng)振蕩,氣體電離為等離子體。射頻濺射的缺點(diǎn)是,大功率射頻電源不僅價(jià)格高,而且對(duì)人身保護(hù)也存在問(wèn)題。因此,射頻濺射不適合工業(yè)生產(chǎn)和應(yīng)用。

以上是金屬PVD真空鍍膜不同的濺射方法及利弊,如有興趣歡迎致電18018743855

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